Search results
2 days ago · The simulated SiO x-layer thickness throughout the wafer ranges from 10.4 to 12.5 nm and the estimated Cu-thickness is simulated to be from 0.5 to 0.9 nm in dependence of the wafer position. By comparison with the resistance map, the area with a higher resistance in the right end of the wafer correlates with a lower copper content.
5 days ago · The Styrian won in three sets on Spanish grass by a wafer-thin margin of 3:6, 6:4 and 7:6 (4). In the round of 16 of the ATP250 tournament, the Italian number 5 seed Luciano Darderi now awaits ...
2 days ago · Duczek, S. 2014. “Higher order finite elements and the fictitious domain concept for wave propagation analysis.” Doctoral dissertation, Fakultät für Maschinenbau, Otto-von-Guericke-Univ. Magdeburg.
1 day ago · Im Vergleich zur Verwendung von 210R-Wafer-basierten Modulen wird auch der Ertrag für Kunden gesteigert. Die M11-Wafer des Hi-MO X6 Max weisen eine geringere Stromstärke auf. Dadurch können die Verluste im Stromübertragungskabel um 9 % reduziert und die Stromausbeute um 0,1 % erhöht werden.
2 days ago · Nexperia modernisiert 100 Jahre alte Fabrik in Hamburg. Der Halbleiterproduzent investiert fast 200 Millionen Euro in sein Werk, das für die Autoindustrie wichtig ist. Wegen des chinesischen ...
1 hour ago · Juni 2024 /PRNewswire/ -- YES ( Yield Engineering Systems, Inc. ), ein führender Hersteller von Prozessanlagen für advanced packaging in der Halbleiterindurstrie, gab heute bekannt, dass das ...